DISCOS DE ESTADO SOLIDO

Una unidad de estado sólido o SSD (solid-state drive) es un dispositivo de almacenamiento de datos que usa memoria flash (no volátil) para almacenar datos, en lugar de los platos giratorios magnéticos que usan los discos duros convencionales.

Los discos duros convencionales emplean un cabezal magnético para leer y escribir datos, mientras que no hay ningún componente electrónico en un disco de estado solido, este se compone en su interior de una placa con varios chips

Los discos SSD permiten hasta un 56% más de rápides de respuesta del equipo en comparación a los discos duros tradicionales, son extremadamente resistente, puede soportar golpes y choques sin perder datos

Los SSD utilizan la misma interfaz que los discos duros tradicionales, esto permite intercambiarlos con facilidad sin tener que recurrir a adaptadores o tarjetas de expansión para hacerlos compatibles con los equipos.

Tiene una muy buena velocidad, tardan menos tiempo en tener acceso a los archivos, usan el mismo tipo de interfaz que los discos duros en este caso la interfaz SATA y asi hacerlos mas compatibles con todas las computadoras.

 Desde el año 2010 se utilizan memorias basadas en compuertas NAND para fabricar todos los dispositivos SSD y que no necesite estar conectado siempre a una fuente de corriente, también se pueden construir en base a memoria de acceso aleatorio (RAM) las cuales necesitan una fuente de energía para mantener los datos después de la desconexion.

SSD basado en RAM

En la década de los 50′ se utilizaban dos tipos de memoria una era la Memoria de Núcleo Magnético y la otra llamada CCROS, se dejaron de usar al surgir las memorias de tambor.

El primer dispositivo SSD fue de 16KB basado en memoria RAM en el año 78′, en el año 93 se presento una unidad de almacenamiento de 128 cartuchos basado en memoria de burbuja, en el año 86′ se presenta la BATRAM que almacenaba 4MB y se podia ampliar a 20MB usando mas modulos pero necesitaba de una pila recargable para mantener los datos cuando no estaba en funcionamiento.

SSD basada en Flash

fue en el año 1995 cuando se presento la primera unidad basada en este tipo de memoria y se empezo a utilizar exitosamente para la industria militar y espacial, ya que resisten las caidas, los cambios de temperatura, presion y las turbulencias.

Arquitectura:

basada en NAND Flash: este tipo de SSD son mas lentas que las fabricadas con RAM, DRAM pero con su gran ventaja que no necesitan usar una bateria o fuente constante de energia para no perder sus datos, la NAND Flash viene en multiples versiones desde 3.5″, 2.5″, 1.8″  o como tarjeta de expasion, pueden ser pequeños pero de gran capacidad interna.

Caracteristicas:

Controladora: es un procesador electronico que adminitra y hace cualquier gestion en el disco duro y la computadora asi como tambien de unir todos los modulos NAND internos, cabe mencionar que la controladora logra ejecutar Software a nivel de Firmware, gracias a ello su gran velocidad de acceso.

Cache: este tipo de acelerador es muy similar al de los discos duros normales, es un modulo DRAM que almacena no solo los archivos o datos mas utilizados sino que guarda la informacion de los bloques y el desgaste de nivelacion de los datos mientras el disco duro esta activo.

Condensador: hace la funcion de bateria diminuta, es utilizada para mantener los datos dentro de la memoria cache, en caso que la alimentacion electrica falle, este tenga tiempo de pasar los datos a la memoria NAND.

Basados en DRAM

este tipo de dispositivos de almacenamiento tienen una gran velocidad de acceso a los datos cerca de los 10 micro segundos, se usan para acelerar aplicaciones y asi no tener que esperar por tanto tiempo a que otras partes del sistema terminen. deben constar siempre de una bateria o un adaptador de corriente despues de terminado su uso para que los datos almacenados no se pierdan caso contrario se borraran.

Tecnologia NAND

La informacion se almacena en celdas formadas por compuertas NAND las cuales tiene tres tecnologias distintas.

Celda de Nivel Individual(SLC)

Este proceso consiste en cortar las obleas de silicio y obtener chips de memoria. Este proceso monolítico tiene la ventaja de que los chips son considerablemente más rápidos que los de la tecnología opuesta (MLC), mayor longevidad, menor consumo, un menor tiempo de acceso a los datos. A contrapartida, la densidad de capacidad por chips es menor, y por ende, un considerable mayor precio en los dispositivos fabricados con éste método. A nivel técnico, pueden almacenar solamente 1 bit de datos por celda

Celda de Nivel Multiple (MLC)

Este proceso consiste en apilar varios moldes de la oblea para formar un sólo chip. Las principales ventajas de este sistema de fabricación es tener una mayor capacidad por chip que con el sistema SLC y por tanto, un menor precio final en el dispositivo. A nivel técnico es menos fiable, durable, rápido y avanzado que las SLC. Éstos tipos de celdas almacenan 2 bits por cada una, es decir 4 estados, por esa razón las tasas de lectura y escritura de datos se ven mermadas. Toshiba ha conseguido desarrollar celdas de 3 bits.

Triple Bit por Celda (TLC)

Nuevo proceso en el que se mantienen 3 bits por cada celda. su mayor ventaja es la considerable reduccion de precio. su mayor desventaja es que solo permite 1000 escrituras.